Выпуск журнала №2, 1 часть [22] за 2010 год

Список статей

Наноэлектроника СВЧ. Анализ, синтез и проектирование устройств

Синтез топологии устройств формирования импульсов с заданными спектральными характеристиками на основе нерегулярных рельефных связанных микрополосковых линий

Ильин А. А., Малютин Н. Д., Мисюнас А. О., Лощилов А. Г.

7–19

Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии

Бабак Л. И., Федоров Ю. В., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И., Бугаев А. С., Гнатюк Д. Л., Коколов А. А., Добуш И. М., Дмитриенко К. С., Сальников А. С., Ячменев А. Э.

20–24

Проектирование однокаскадного монолитного усилителя Ка-диапазона с использованием комплекса программ автоматизированного синтеза

Черкашин М. В., Коколов А. А., Добуш И. М., Бабак Л. И.

25–29

Автоматизированное проектирование двухкаскадного копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона

Черкашин М. В., Коколов А. А., Добуш И. М., Бабак Л. И.

30–33

Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах

Черкашин М. В., Добуш И. М., Бабак Л. И., Федоров Ю. В., Гнатюк Д. Л.

34–37

Исследование копланарных элементов монолитных интегральных схем

Добуш И. М., Коколов А. А., Бабак Л. И.

38–41

Разработка монолитного ограничителя мощности X-диапазона

Добуш И. М.

42–43

Обзор способов построения и схем СВЧ монолитных ограничителей мощности

Добуш И. М.

44–48

Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах

Гнатюк Д. Л., Федоров Ю. В., Галиев Г. Б., Галиев Р. Р., Щербакова М. Ю.

49–55

Электромагнитный отклик от композиционного материала на основе многостенных углеродных нанотрубок

Сусляев В. И., Кузнецов В. Л., Мазов И. Н., Журавлев В. А., Кулешов Г. Е.

56–58

СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов

Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Божков В. Г., Бабак Л. И., Добуш И. М., Сальников А. С.

59–61

Разработка элементной базы для создания СВЧ-модулей

Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Божков В. Г., Монастырев Е. А.

62–66

Малошумящий усилитель диапазона 1–6 ГГц

Литвиненко Е. С.

67–69

Структурная оптимизация многокаскадного модального фильтра по двум критериям

Мелкозеров А. О., Самотин И. Е., Аширбакиев Р. И., Еремин И. В.

70–72

Микроволновые характеристики композиционных материалов на основе нанопорошков гексаферритов

Сусляев В. И., Доценко О. А., Бабинович А. Н., Кротов С. И., Леухина А. Е.

73–75

Общие подходы к оптимальному проектированию интегральных СВЧ-устройств. Обзор

Сычёв А. Н.

76–80

Оптимальный синтез интегральных СВЧ-устройств на основе замещающего моделирования. Обзор

Сычёв А. Н., Шестаков В. А.

81–85

Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки, полученным методом оптической литографии

Арыков В. С., Гаврилова А. М.

86–88

Программа INDESYS-MB для построения моделей элементов СВЧ монолитных интегральных схем на основе многомерных полиномов

Абрамов А. О., Бабак Л. И., Добуш И. М., Дорофеев С. Ю., Песков М. А., Самуилов А. А.

89–92

Разработка интеллектуальной системы автоматизированного проектирования СВЧ-устройств INDESYS

Бабак Л. И., Дорофеев С. Ю., Песков М. А., Шеерман Ф. И., Черкашин М. В., Абрамов А. О., Самуилов А. А.

93–96

Разработка копланарного монолитного усилителя Ka-диапазона со сложением мощности

Коколов А. А., Бабак Л. И.

101–104

Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии

Мокеров В. Г., Бабак Л. И., Федоров Ю. В., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И., Бугаев А. С., Кузнецов А. Л., Гнатюк Д. Л.

105–117

Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов

Коколов А. А., Шеерман Ф. И., Бабак Л. И.

118–123

Измерение и характеризация параметров СВЧ-материалов и устройств

Characterization of high power microwave transistors

Teyssier Jean-Pierre

127–136

Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора

Баров А. А., Бидненко Ю. Н., Кондратенко А. В.

137–139

Автоматизация зондовых измерений параметров рассеяния и вольтамперных характеристик транзисторов с использованием программной среды Indesys-MS

Сальников А. С., Добуш И. М., Кошевой С. Е., Шеерман Ф. И.

140–144

Обзор тестовых структур для измерения электрофизических параметров материалов при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем

Сальников А. С., Ющенко А. Ю.

145–148

Методика построения нелинейной модели EEHEMT для гетероструктурных полевых СВЧ-транзисторов

Коколов А. А., Бабак Л. И.

149–152

Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов

Коколов А. А., Бабак Л. И.

153–156

Разработка библиотеки элементов для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС в среде Microwave Office

Сальников А. С., Коколов А. А., Шеерман Ф. И.

157–160

Экспериментальная установка для исследования характеристик нелинейности СВЧ-цепей в режиме сверхширокополосного импульсного воздействия

Лощилов А. Г., Семёнов Э. В., Малютин Н. Д.

161–165

Разработка устройств обработки сверхширокополосных импульсных сигналов для исследования нелинейных свойств объектов методом нелинейной рефлектометрии

Лощилов А. Г., Семенов Э. В., Малютин Н. Д., Мисюнас А. О., Ильин А. А.

166–170

Моделирование нелинейности преобразования видеоимпульсных сигналов полупроводниковым диодом

Семёнов Э. В., Бибиков Т. Х., Малютин Н. Д., Павлов А. П.

171–174

Оценка эффективной магнитной проницаемости композиционных радиоматериалов при достижении размеров частиц активной фазы нанометровой области

Сусляев В. И., Коровин Е. Ю.

175–177

СВЧ-зонды для измерения характеристик планарных элементов интегральных схем

Ладур А. А.

178–179

Технология наноэлектроники СВЧ

Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором

Ерофеев Е. В., Кагадей В. А., Ишуткин С. В., Носаева К. С., Анищенко Е. В., Арыков В. С.

183–186

Датчик газообразных углеводородов на основе пористой пленки SiO 2 +C нанометровой толщины

Усов С. П., Троян П. Е., Сахаров Ю. В.

187–190

HEMT на гетероструктурах In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц

Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Гнатюк Д. Л., Яременко Н. Г., Страхов В. А.

191–197

Защитные композиционные экраны на основе нанопорошков гексаферритов для снижения влияния СВЧ-излучения

Кулешов Г. Е., Сусляев В. И.

198–200

Исследование гетероструктур на основе слоев с широкой запрещенной зоной

Казимиров А. И., Сахаров Ю. В., Троян П. Е.

201–203

Нанотекстурирование поверхности алюмооксидной керамики с помощью лазерных и электронных пучков

Саврук Е. В.

204–206

Анализ влияния технологического процесса изготовления многослойных интегральных схем на основе керамики с низкой температурой обжига на результаты моделирования напряженно-деформированного состояния модулей для бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Обзор

Пономарев С. В., Сунцов С. Б.

207–209

Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь

Способ аппроксимации диаграммы направленности антенной системы космического аппарата по сигналам наземной контрольно-юстировочной станции

Ворошилин Е. П., Миронов М. В.

213–219

Сравнение эффективности методов оценки пеленга устройствами со слабонаправленными антеннами в условиях пересеченной местности

Мещеряков А. А., Крутиков М. В., Куприц В. Ю.

220–224

Оценка эффекта подавления паразитного излучения широкополосной спиральной антенны методом изменения ширины полоска

Куприц В. Ю., Мещеряков А. А., Крутиков М. В.

225–228

Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствие тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 1. Постановка задачи. Подготовка к моделированию

Алексеев В. П., Карабан В. М., Пономарев С. В., Сунцов С. Б.

229–231

Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствие тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 2. Проведение численного моделирования

Алексеев В. П., Карабан В. М., Пономарев С. В., Сунцов С. Б.

232–235

Алгоритм оптимизации высот подвеса антенн в сетях с топологией «звезда»

Терехов А. В., Шурыгин Ю. А.

236–243

Сходимость метода последовательных приближений при моделировании нелинейных радиотехнических устройств. Метод простой итерации

Ненашев А. В.

244–248

Траекторное рассеяние фракций скользящего контакта

Деева В. С.

249–254

Управление, вычислительная техника и информатика

Предпроектное проектирование информационных систем персональных данных как этап аудита информационной безопасности

Миронова В. Г., Шелупанов А. А.

257–259

Функциональная модель документационного обеспечения разработки и принятия управленческого решения

Горюнова Е. С.

260–266

Распределенный аппаратно-программный комплекс мониторинга радиационной обстановки с Web-базированным доступом

Хлебус Е. А., Дурновцев В. Я.

267–271

Математическая модель дихотомической классификации последовательностей знаков и ее техническая реализация

Писаренко Л. А.

272–277

К вопросу о проектировании беспроводных локальных сетей WLAN

Рудаков Д. В., Комагоров В. П., Фофанов О. Б.

278–282

Методы оценки актуальности научных публикаций, на основе анализа интернет-обращений к научным порталам

Силич В. А., Савельев А. О., Марчуков А. В., Алексеев А. А.

283–287

Маршрутизация в беспроводных мобильных Ad hoc-сетях

Винокуров В. М., Пуговкин А. В., Пшенников А. А., Ушарова Д. Н., Филатов А. С.

288–292

Математическая модель теплоснабжения помещений для АСУ энергосбережения

Пуговкин А. В., Купреков С. В., Абушкин Д. В., Заречная И. А., Муслимова Н. И.

293–298

Схема адаптивной системы фильтрации сообщений на основе метода вывода по прецедентам

Родин Е. А.

299–303

Интерполяционный синтез регуляторов систем автоматического управления на основе нулей полиномов Чебышева

Гончаров В. И., Нгуен Ф. Д.

304–309

Генерация неприводимых многочленов, связанных степенной зависимостью корней

Титов С. С., Торгашова А. В.

310–318

Применение обратной интерполяции в численных алгоритмах синтеза цифровых фильтров

Окишев А. С.

319–323

Система оценки качества передаваемой речи

Мещеряков Р. В.

324–329

Показатели сложности контролируемых технологических переменных в задачах АСУ металлургическими объектами

Криволапова Л. И., Кравцова О. А.

330–335

Модель отбора новых идей для их реализации в инновационном бизнесе

Семиглазов А. М., Семиглазов В. А.

336–341

Математическое моделирование рекламной кампании

Семиглазов А. М., Семиглазов В. А., Иванов К. И.

342–349

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru