Аннотация: Представлены результаты восстановления нелинейной модели ПТШ с шириной затвора 600 мкм, выполненного по GaAs pHEMT-технологии ЗАО «НПФ Микран». Восстановление проводилось на основе результатов измерений малосигнальных параметров рассеяния и вольт-амперных характеристик, выполненных в непрерывном режиме.
Ключевые слова: монолитная интегральная схема, полевой транзистор с затвором шотки, нелинейная модель, вольт-амперные характеристики, параметры рассеяния
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Баров А. А. Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора / А. А. Баров, Ю. Н. Бидненко, А. В. Кондратенко // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 137–139.