Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки, полученным методом оптической литографии

Авторы: Арыков В. С., Гаврилова А. М.

Аннотация: Представлены результаты разработки мощных полевых транзисторов с использованием технологии получения оптической литографией Т-образного затвора Шотки длиной 0,2 мкм. Основой технологии является получение узкой щели в диэлектрике, определяющей размер затвора.

Ключевые слова: полевой транзистор с затвором шотки, оптическая литография

Библиография статьи: Арыков В. С. Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки, полученным методом оптической литографии / В. С. Арыков, А. М. Гаврилова // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 86–88.