Арыков Вадим Станиславович
Список статей:
- Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур
- Полевой транзистор с субмикронным Т-образным затвором, полученным с использованием пристеночного диэлектрика
- Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором
- Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки, полученным методом оптической литографии
- Разработка технологии формирования слотовых отверстий в GaAs-подложках с помощью TCAD
_%D0%BE%D0%B1%D0%BB_(%D0%90-3)-1.jpg)
