Полевой транзистор с субмикронным Т-образным затвором, полученным с использованием пристеночного диэлектрика

Аннотация: Представлены результаты разработки полевых транзисторов с использованием технологии получения оптической литографией Т-образного затвора Шоттки длиной 180 нм. Основой технологии является получение узкой щели в диэлектрике, определяющей размер затвора. Получение узкой щели осуществлялось за счет использования пристеночного диэлектрика.

Ключевые слова: полевой транзистор с затвором шоттки, оптическая литография, пристеночный диэлектрик, плазмохимическое травление, осаждение