Полевой транзистор с субмикронным Т-образным затвором, полученным с использованием пристеночного диэлектрика

Авторы: Степаненко М. В., Арыков В. С., Ющенко А. М., Плотникова А. Ю., Ишуткин С. В.

Аннотация: Представлены результаты разработки полевых транзисторов с использованием технологии получения оптической литографией Т-образного затвора Шоттки длиной 180 нм. Основой технологии является получение узкой щели в диэлектрике, определяющей размер затвора. Получение узкой щели осуществлялось за счет использования пристеночного диэлектрика.

Ключевые слова: полевой транзистор с затвором шоттки, оптическая литография, пристеночный диэлектрик, плазмохимическое травление, осаждение

Библиография статьи: Степаненко М. В. Полевой транзистор с субмикронным Т-образным затвором, полученным с использованием пристеночного диэлектрика / М. В. Степаненко [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 1(31). – С. 103–105.