☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Приведены результаты разработки полностью бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с омическими контактами на основе Cu/Ge и Т-образным затвором Ti/Mo/Cu с длиной основания 150 нм. Разработанный транзистор имел максимальный ток стока 360 мA/мм, напряжение пробоя затвор-сток 7 В и максимальную крутизну 320 мСм/мм при напряжении V си = 3 В. Коэффициент усиления по току составлял 15 дБ на частоте 10 ГГц. Максимальная частота усиления по току составляла 60 ГГц при V си = 3 В.
Ключевые слова: gaas, phemt, т-затвор, омический контакт
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Ерофеев Е. В. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором / Е. В. Ерофеев [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 183–186.
-2025-1.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
