Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором

Авторы: Ерофеев Е. В., Кагадей В. А., Ишуткин С. В., Носаева К. С., Анищенко Е. В., Арыков В. С.

Аннотация: Приведены результаты разработки полностью бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с омическими контактами на основе Cu/Ge и Т-образным затвором Ti/Mo/Cu с длиной основания 150 нм. Разработанный транзистор имел максимальный ток стока 360 мA/мм, напряжение пробоя затвор-сток 7 В и максимальную крутизну 320 мСм/мм при напряжении V си = 3 В. Коэффициент усиления по току составлял 15 дБ на частоте 10 ГГц. Максимальная частота усиления по току составляла 60 ГГц при V си = 3 В.

Ключевые слова: gaas, phemt, т-затвор, омический контакт

Библиография статьи: Ерофеев Е. В. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором / Е. В. Ерофеев [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 183–186.