Ерофеев Евгений Викторович
Список статей:
- Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs pHEMT транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений
- Омический контакт к n+-GaAs с торцевым диффузионным барьером
- Разработка GaAs СВЧ-транзисторов с металлизацией на основе Al и Cu
- Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором
- Способ очистки наноразмерных элементов интегральных схем
- Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов
- Формирование медно-германиевого соединения низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода
_%D0%BE%D0%B1%D0%BB_(%D0%90-3)-1.jpg)
