Формирование медно-германиевого соединения низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода

Аннотация: Исследовано поведение двухслойной тонкопленочной системы Cu/Ge, осажденной на под-ложку i-GaAs, при ее обработке в атомарном водороде. Установлено, что обработка образцов в потоке атомарного водорода с плотностью потока 10^15 ат. см2 с-1 при комнатной температу¬ре приводит к твердотельной взаимной диффузии тонких пленок Cu и Ge и образованию по¬ликристаллического соединения CuGe с вертикально ориентированными зернами.

Ключевые слова: тонкие пленки, медно-германиевое соединение, атомарный водород, диффузия, слоевое сопротивление