Разработка GaAs СВЧ-транзисторов с металлизацией на основе Al и Cu

Авторы: Ерофеев Е. В., Казимиров А. И.

Аннотация: Приведены результаты разработки GaAs pHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor – псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов) с Т-образным затвором длиной 150 нм и металлизацией на основе Al и Cu. GaAs pHEMT с омическими контактами на основе Pd/Ge/Al и Т-образным затвором на основе Ti/Al имел максимальный ток стока по отношению к единице длины затвора Idss = 320 мA/мм, напряжение пробоя затвор–сток 7 В и максимальную крутизну вольт-амперной характеристики (ВАХ) gm = 400 мСм/мм. Коэффициент усиления по току составлял 17,3 дБ на частоте 10 ГГц. Максимальная частота усиления по току составляла 80 ГГц при напряжении сток–исток UСИ = 2 В. GaAs pHEMT с омическими контактами на основе Pd/Ni/Ge/Mo/Cu и Т-образным затвором на основе Ti/Mo/Cu имел максимальный ток стока по отношению к единице длины затвора Idss = 240 мA/мм, напряжение пробоя затвор–сток 7 В и максимальную крутизну ВАХ gm = 440 мСм/мм при напряжении сток–исток UСИ = 1,5 В. Коэффициент усиления по току составлял 18,8 дБ на частоте 10 ГГц. Максимальная частота в режиме усиления по току достигала 100 ГГц, а максимальная частота усиления по мощности выше 100 ГГц при напряжении сток–исток UСИ = 1,5 В.

Ключевые слова: gaas, phemt, т-образный затвор, омический контакт, медь, алюминий

Библиография статьи: Ерофеев Е. В. Разработка GaAs СВЧ-транзисторов с металлизацией на основе Al и Cu / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 1. – С. 47–52.