Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs pHEMT транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений

Авторы: Ерофеев Е. В., Казимиров А. И., Кагадей В. А.

Аннотация: Представлены результаты сравнительного исследования термостабильности параметров по постоянному току и СВЧ-сигналу GaAs pHEMT на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора и GaAs pHEMT, с металлизацией на основе CuGe-соединения, полученного низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода. Транзистор с CuGe металлизацией и длиной затвора 170 нм имел максимальный ток стока 560 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток 7 В, крутизну 380 мСм/мм при Uси = 3 В. Максимальный коэффициент усиления по току транзистора составлял 16.8 дБ на частоте 10 ГГц при граничной частоте отсечки по току в 80 ГГц. Термоиспытания транзисторов обоих типов, проводившиеся при температуре 250ºC в течение 120 мин в атмосфере азота, показали, что pHEMT с медно-германиевой (CuGe) металлизацией обладает существенно большей термостабильностью электрических параметров, чем транзистор на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора.

Ключевые слова: gaas, phemt, cuge-соединения, термостабильность

Библиография статьи: Ерофеев Е. В. Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs pHEMT транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, В. А. Кагадей // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 41–46.