Омический контакт к n+-GaAs с торцевым диффузионным барьером

Аннотация: Представлен сравнительный анализ параметров несплавных Pd/Ge/Ta/Cu и сплавных Ge/Au/Ni/Ta/Au омических контактов к n + -GaAs, имеющих планарный, а также планарный и торцевой диффузионные барьеры на основе пленок Ta, формируемых методом магнетронного распыления. Установлено, что использование торцевого диффузионного барьера позволяет уменьшить величину приведенного контактного сопротивления омических контактов обоих типов, а также повысить термическую стабильность морфологии края контактной площадки в случае сплавных Ge/Au/Ni/Ta/Au омических контактов. Эффекты, наблюдаемые для образцов с торцевым диффузионным барьером, объяснены лимитированием диффузии, а также ограничением взаимодействия атомов Au или Cu с нижележащими слоями металлизации и с арсенидом галлия, происходящими по торцевой поверхности омического контакта.

Ключевые слова: n-gaas, омический контакт, торцевой диффузионный барьер, медь, золото

Библиография статьи:
Ерофеев Е. В. Омический контакт к n+-GaAs с торцевым диффузионным барьером / Е. В. Ерофеев [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2013. – № 4(30). – С. 62–66.