Способ очистки наноразмерных элементов интегральных схем

Аннотация: Исследована возможность улучшения параметров омических контактов на основе Ge/Cu к n-i-GaAs с помощью модификации поверхности GaAs в потоке атомарного водорода, а также посредством воздействия ультрафиолетовым излучением, генерируемым KrCl эксилампой, на гидрогенизированную поверхность. Показано, что обработка предварительно гидрогенизированной поверхности n-i-GaAs ультрафиолетовым излучением с длиной волны λ = 222 нм и плотностью мощности излучения P = 12 мВт·см⁻², выполняемая в вакууме перед осаждением металлизации омических контактов Ge/Cu, позволяет уменьшить приведённое контактное со- противление в 3 раза.

Ключевые слова: gaas, омический контакт, атомарный водород, ультрафиолет

Библиография статьи: Федин И. В. Способ очистки наноразмерных элементов интегральных схем / И. В. Федин, Е. В. Ерофеев // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 2. – С. 182–185.