Моделирование влияния толщины барьерного слоя гетероструктуры на напряжение пробоя транзистора с высокой подвижностью электронов

Аннотация: Представлены результаты моделирования возникновения пробоя в гетероструктуре транзистора с высокой подвижностью электронов при различной толщине барьерного слоя AlGaAs. В результате исследования было выявлено, что напряжение пробоя, измеренное по методу инжекции тока стока, при заданных параметрах гетероструктуры составляет 8,75 В и остается неизменным при изменении толщины барьерного слоя.

Ключевые слова: напряжение пробоя, гетероструктура, phemt, инжекция тока стока, барьерный слой

Библиография статьи:
Шестерикова Д. А. Моделирование влияния толщины барьерного слоя гетероструктуры на напряжение пробоя транзистора с высокой подвижностью электронов / Д. А. Шестерикова [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2025. – Т. 28, № 1. – С. 81–85. DOI: 10.21293/1818-0442-2025-28-1-81-85