Моделирование влияния толщины барьерного слоя гетероструктуры на напряжение пробоя транзистора с высокой подвижностью электронов

Авторы: Шестерикова Д. А., Шестериков А. Е., Ерофеев Е. В., Троян П. Е.

Аннотация: Представлены результаты моделирования возникновения пробоя в гетероструктуре транзистора с высокой подвижностью электронов при различной толщине барьерного слоя AlGaAs. В результате исследования было выявлено, что напряжение пробоя, измеренное по методу инжекции тока стока, при заданных параметрах гетероструктуры составляет 8,75 В и остается неизменным при изменении толщины барьерного слоя.

Ключевые слова: барьерный слой, инжекция тока стока, phemt, гетероструктура, напряжение пробоя

Библиография статьи: Шестерикова Д. А. Моделирование влияния толщины барьерного слоя гетероструктуры на напряжение пробоя транзистора с высокой подвижностью электронов / Д. А. Шестерикова [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2025. – Т. 28, № 1. – С. 81–85. DOI: 10.21293/1818-0442-2024-28-1-81-85