Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов

Авторы: Ерофеев Е. В., Казимиров А. И., Кулинич И. В.

Аннотация: Представлен способ формирования затвора с длиной основания менее 70 нм при использовании напыления тонких пленок в вакууме. При этом задание требуемой длины затвора в широком диапазоне определяется углом, под которым ориентирована подложка относительно напыляемого потока в процессе напыления тонких пленок. Проведено математическое моделирование и получены макеты затворов с длинами основания 52, 40 и 30 нм при размере окна в резистивной маске 200 нм.

Ключевые слова: наноразмерный затвор, угловое напыление, gaas, свч-транзистор

Библиография статьи: Ерофеев Е. В. Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, И. В. Кулинич // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 1. – С. 53–56.