☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Представлены результаты разработки технологии формирования сквозных отверстий диаметром 30–40 мкм с вертикальными стенками при толщинах подложки GaAs от 50 до 200 мкм. Основой при разработке технологии являлось применение системы моделирования TCAD.
Ключевые слова: сквозное отверстие, полевой транзистор, моделирование, tcad
Библиография статьи:
Степаненко М. В. Разработка технологии формирования слотовых отверстий в GaAs-подложках с помощью TCAD / М. В. Степаненко [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2014. – № 1(31). – С. 106–108.
Авторы и правообладатели:
- Степаненко М. В. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
- Арыков В. С. , ООО «Ай Эм Тех» (Томск, Россия);, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
- Ющенко А. М.
- Плотникова А. Ю.
—
-2026-1_%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D0%B8%D1%8F.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
