Разработка технологии формирования слотовых отверстий в GaAs-подложках с помощью TCAD

Авторы: Степаненко М. В., Арыков В. С., Ющенко А. М., Плотникова А. Ю.

Аннотация: Представлены результаты разработки технологии формирования сквозных отверстий диаметром 30–40 мкм с вертикальными стенками при толщинах подложки GaAs от 50 до 200 мкм. Основой при разработке технологии являлось применение системы моделирования TCAD.

Ключевые слова: сквозное отверстие, полевой транзистор, моделирование, tcad

Библиография статьи: Степаненко М. В. Разработка технологии формирования слотовых отверстий в GaAs-подложках с помощью TCAD / М. В. Степаненко [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 1(31). – С. 106–108.