Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур
DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32
DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32
Аннотация: Представлены результаты разработки процесса плазмохимического травления InP/InGaAs в индуктивно связанной плазме в газовой смеси Cl 2 /Ar/N 2 . Показаны зависимости влияния режимов процесса на профиль и шероховатость поверхности формируемых волноводных структур.
Ключевые слова: оптоэлектроника, фосфид индия, плазмохимическое травление, волноводные структуры
Библиография статьи:
Ишуткин С. В. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур / С. В. Ишуткин [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2018. – Т. 21, № 4. – С. 28–32. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32
Авторы и правообладатели:
—