Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур

DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32

Скачать текст статьи в формате PDF

Аннотация: Представлены результаты разработки процесса плазмохимического травления InP/InGaAs в индуктивно связанной плазме в газовой смеси Cl 2 /Ar/N 2 . Показаны зависимости влияния режимов процесса на профиль и шероховатость поверхности формируемых волноводных структур.

Ключевые слова: оптоэлектроника, фосфид индия, плазмохимическое травление, волноводные структуры

Библиография статьи:
Ишуткин С. В. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур / С. В. Ишуткин [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2018. – Т. 21, № 4. – С. 28–32. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32

Авторы и правообладатели:

  • Ишуткин С. В.
  • Арыков В. С. , ООО «Ай Эм Тех» (Томск, Россия);, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
  • Жидик Ю. С.
  • Троян П. Е. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru