Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Ишуткин С. В., Арыков В. С., Жидик Ю. С., Троян П. Е.

Аннотация: Представлены результаты разработки процесса плазмохимического травления InP/InGaAs в индуктивно связанной плазме в газовой смеси Cl 2 /Ar/N 2 . Показаны зависимости влияния режимов процесса на профиль и шероховатость поверхности формируемых волноводных структур.

Ключевые слова: волноводные структуры, плазмохимическое травление, фосфид индия, оптоэлектроника

Библиография статьи: Ишуткин С. В. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур / С. В. Ишуткин [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2018. – Т. 21, № 4. – С. 28–32. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru