Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур

Авторы: Ишуткин С. В., Арыков В. С., Жидик Ю. С., Троян П. Е.

Аннотация: Представлены результаты разработки процесса плазмохимического травления InP/InGaAs в индуктивно связанной плазме в газовой смеси Cl 2 /Ar/N 2 . Показаны зависимости влияния режимов процесса на профиль и шероховатость поверхности формируемых волноводных структур.

Ключевые слова: оптоэлектроника, фосфид индия, плазмохимическое травление, волноводные структуры

Библиография статьи: Ишуткин С. В. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур / С. В. Ишуткин [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2018. – Т. 21, № 4. – С. 28–32. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32