Гнатюк Дмитрий Леонидович
Список статей:
- HEMT на гетероструктурах In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц
- Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии
- Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах
- Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии
- Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах
_%D0%BE%D0%B1%D0%BB_(%D0%90-3)-1.jpg)
