Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах

Авторы: Черкашин М. В., Добуш И. М., Бабак Л. И., Федоров Ю. В., Гнатюк Д. Л.

Аннотация: Приведены результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц. Разработка выполнена с применением методики и программ визуального проектирования СВЧ транзисторных усилителей. Усилитель изготовлен на основе гетероструктурной 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии.

Ключевые слова: свч монолитныe интегральные схемы, малошумящий усилитель, ka-диапазон, phemt, визуальное проектирование

Библиография статьи: Черкашин М. В. Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах / М. В. Черкашин [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 34–37.