Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах

Аннотация: Приведены результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц. Разработка выполнена с применением методики и программ визуального проектирования СВЧ транзисторных усилителей. Усилитель изготовлен на основе гетероструктурной 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии.

Ключевые слова: свч монолитныe интегральные схемы, малошумящий усилитель, ka-диапазон, phemt, визуальное проектирование