HEMT на гетероструктурах In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц

Авторы: Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Гнатюк Д. Л., Яременко Н. Г., Страхов В. А.

Аннотация: Разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии изоморфных гетероструктур In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As на подложках InP с подвижностью μ Н =10640 см 2 /Вс и концентрацией n Н =3,28·10 12 cм 2 двумерного электронного газа при Т=300 К. На них с помощью электронно-лучевой литографии были изготовлены транзисторы с двумерным электронным газом (HEMT) с длиной затвора L g =180 нм и двух- секционной топологией затворов с шириной W g =2х30, 2х40, 2х60 и 2х80 мкм. Крутизна транзисторов составляла 1000 См/мм, а максимальная плотность тока стока I d – 800 мА/мм. Исследованы частотные зависимости S-параметров транзисторов в диапазоне частот 0,01-67 ГГц и определены предельные частоты усиления по току F t и по мощности F max в зависимости от W g . Приводятся параметры линейных моделей НЕМТ с различными величинами W g , определены параметры модели «внутреннего» транзи- стора. Установлено, что для «внутреннего» транзистора предельные частоты F t и F max максимальны при W g =2х30 мкм и достигают 150 и 323 ГГц соответственно. Полученные параметры изоморфных гетероструктур и НЕМТ на подложках InP соответствуют мировому уровню для длины затвора 180 нм. В России подобные результаты получены впервые.

Ключевые слова: hemt, inp, изоморфные гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия

Библиография статьи: Федоров Ю. В. HEMT на гетероструктурах In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц / Ю. В. Федоров [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 191–197.