Щербакова Марина Юрьевна
Список статей:
- HEMT на гетероструктурах In 0,52 Al 0,48 As/In 0,53 Ga 0,47 As/In 0,52 Al 0,48 As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц
- Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах
- Построение масштабируемой шумовой модели MHEMT на GaAs с Lg от 50 до 250 нм
_%D0%BE%D0%B1%D0%BB_(%D0%90-3)-1.jpg)
