Построение масштабируемой шумовой модели MHEMT на GaAs с Lg от 50 до 250 нм

Авторы: Михайлович С. В., Фёдоров Ю. В., Бугаев А. С., Галиев Р. Р., Ячменёв А. Э., Щербакова М. Ю.

Аннотация: Разработана управляемая технология создания MHEMT на GaAs с Lg до 50 нм, которая позволила разработать методику и построить масштабируемые малосигнальные эквивалентные схемы и шумовые модели MHEMT с частотой отсечки тока до 300 ГГц. Приводятся результаты моделирования и сравнение этих результатов с измеренными S-параметрами и коэффициентами шумов для транзисторов с шириной Т-образных затворов от 2 30 до 2 80 мкм и длинами от 50 до 250 нм.

Ключевые слова: mhemt, эквивалентная схема, шумовая модель, коэффициент шума

Библиография статьи: Михайлович С. В. Построение масштабируемой шумовой модели MHEMT на GaAs с Lg от 50 до 250 нм / С. В. Михайлович [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 31–35.