Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Мокеров В. Г., Бабак Л. И., Федоров Ю. В., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И., Бугаев А. С., Кузнецов А. Л., Гнатюк Д. Л.

Аннотация: Приводятся результаты разработки на базе отечественной 0,15 мкм GaAs pHEMT- технологии первого в России комплекта монолитных интегральных схем (МИС) малошумящих усилителей (МШУ) Х-диапазона с параметрами на уровне зарубежных аналогов. Применение методик и программ визуального проектирования СВЧ-усилителей позволило получить высокие качественные характеристики, упростить и ускорить разработку МИС МШУ.

Ключевые слова: свч монолитныe интегральные схемы, технология, phemt, малошумящий усилитель, х-диапазон, автоматизированный синтез, визуальное проектирование

Библиография статьи: Мокеров В. Г. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии / В. Г. Мокеров [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 105–117.