Журнал «Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники» / Архив / Выпуск журнала № 2, 1 часть [22] за 2010 год / Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов

Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов

Скачать текст статьи в формате PDF

Аннотация
Авторы и правообладатели

Аннотация: Приведены классификация и обзор моделей транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Описание типов моделей HEMT-транзисторов базируется на современной общей классификации моделей полупроводниковых приборов. Обзор предназначен для специалистов по проектированию СВЧ-устройств.

Ключевые слова: классификация, нелинейная модель, свч-транзистор, hemt

Авторы и правообладатели:

—

Библиография статьи:
Коколов А. А. Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Ф. И. Шеерман, Л. И. Бабак // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 118–123.

Рукописи статей направлять на адрес редакции: journal@tusur.ru

Последний выпуск

Доклады ТУСУР – выпуск № 4, т. 28 2025г.

Доклады ТУСУР
№ 4, т. 28, 2025

Адрес редакции

634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

(3822) 701-582, внутр.: 1456

journal@tusur.ru

Подписка на обновления

Оформить подписку на получение обновлений журнала