Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов

Аннотация: Описывается методика построения (экстракции) малосигнальной эквивалентной схемы СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов на основе измеренных S-параметров. Приведен пример применения методики для построения малосигнальной модели транзистора, выполненного по отечественной 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии.

Ключевые слова: свч, монолитная интегральная схема, hemt-транзистор, малосигнальная модель, экстракция