Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Коколов А. А., Бабак Л. И.

Аннотация: Описывается методика построения (экстракции) малосигнальной эквивалентной схемы СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов на основе измеренных S-параметров. Приведен пример применения методики для построения малосигнальной модели транзистора, выполненного по отечественной 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии.

Ключевые слова: свч, монолитная интегральная схема, hemt-транзистор, малосигнальная модель, экстракция

Библиография статьи: Коколов А. А. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 153–156.

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru