Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов

Аннотация: Описывается методика построения (экстракции) малосигнальной эквивалентной схемы СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов на основе измеренных S-параметров. Приведен пример применения методики для построения малосигнальной модели транзистора, выполненного по отечественной 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии.

Ключевые слова: свч, монолитная интегральная схема, hemt-транзистор, малосигнальная модель, экстракция

Библиография статьи: Коколов А. А. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 153–156.