☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Приведены результаты разработки 0,3 мкм GaAs рHEMT-транзистора. Найдены параметры эквивалентной схемы созданного транзистора. Приведено сравнение характеристик транзистора с зарубежным аналогом.
Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, малосигнальная модель
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Ющенко А. Ю. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А. Ю. Ющенко [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 59–61.
-2025-1.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
