СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов

Авторы: Ющенко А. Ю., Айзенштат Г. И., Божков В. Г., Бабак Л. И., Добуш И. М., Сальников А. С.

Аннотация: Приведены результаты разработки 0,3 мкм GaAs рHEMT-транзистора. Найдены параметры эквивалентной схемы созданного транзистора. Приведено сравнение характеристик транзистора с зарубежным аналогом.

Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, малосигнальная модель

Библиография статьи: Ющенко А. Ю. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А. Ю. Ющенко [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 59–61.