Characterization of high power microwave transistors

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Teyssier Jean-Pierre

Аннотация: This paper describes up-to-date nonlinear measurements techniques for characterization and modelling of high power microwave transistors, from pulsed I(V) to time domain load-pull measurements. The described toolkit is well-suited for study of weak nonlinear regimes of transistors as long as long-term memory effects taking place into transistors.

Ключевые слова: characterization, high power microwave transistor, microwave measurements

Библиография статьи: Teyssier Jean-Pierre Characterization of high power microwave transistors / Jean-Pierre Teyssier // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 127–136.

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru

 

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru