Аннотация: Представлены результаты моделирования и экспериментального исследования пассивных распределенных и сосредоточенных элементов GaAs монолитных интегральных схем (МИС) в диапазоне до 40 ГГц, выполненных на основе копланарных линий (КПЛ).
Ключевые слова: копланарные элементы, свч монолитные интегральные схемы, модели элементов
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Добуш И. М. Исследование копланарных элементов монолитных интегральных схем / И. М. Добуш, А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 2(22). – Ч. 1. – С. 38–41.