|
Анализ модели направленного ответвителя на основе нерегулярных полосковых линий с комбинированной связью
Попков А. Ю., Гошин Г. Г., Фатеев А. В., Подлиннов С. А.
|
5–11
|
|
Трёхкаскадный транснаправленный ответвитель Х - диапазона
Сычев А. Н., Стручков С. М., Рудый Н. Ю.
|
12–16
|
|
Анализ вероятностных характеристик матричного приемника с учетом неоднозначности определения частоты на стыках каналов
Подстригаев А. С., Лихачев В. П., Ляпин М. В., Липаков Н. Е.
|
17–25
|
|
Обзор и сравнительный анализ способов построения компенсаторов нелинейных искажений в усилителях мощности
Саяпин В. Ю., Тисленко В. И., Родионов В. В.
|
26–31
|
|
Эффективность фокусировки плоских активных фазированных антенных решеток вдоль оптической оси в ближней зоне
Аникин А. С., Крутиков М. В.
|
32–34
|
|
Поиск и обнаружение сигналов спутниковой радионавигационной системы ГЛОНАСС в бортовом навигационном комплексе космического потребителя
Кравец А. П., Лебедев В. Ю., Тисленко В. И., Филимонов В. А., Шаврин В. В.
|
35–41
|
|
Полосковые управляемые меандровые линии задержки
Лощилов А. Г., Тренкаль Е. И., Федоров В. Н.
|
42–46
|
|
Исследование характеристик мощной излучающей акустической антенной решетки
Красненко Н. П., Кудрявцев А. Н., Раков А. С., Раков Д. С.
|
47–51
|
|
Исследование возможностей применения аддитивной принтерной технологии формирования пленок органических и неорганических материалов электроники
Малютин Н. Д., Лощилов А. Г., Артищев С. А., Здрок А. Е., Аллануров А. М., Бомбизов А. А., Караульных С. П., Макаров И. М., Убайчин А. В.
|
52–63
|
|
Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана , применяемых при формировании мемристорных структур
Троян П. Е., Нагайчук С. Г., Аргунов Д. П., Змановский П. А., Пилипец И. В.
|
64–67
|
|
Создание электронного запоминающего устройства , подобного по свойствам синапсу мозга
Бобылев А. Н., Удовиченко С. Ю.
|
68–71
|
|
Технология синтеза и свойства пористых оксидных пленок
Сахаров Ю. В., Троян П. Е., Жидик Ю. С.
|
72–75
|
|
Исследование свойств несплавных омических контактов к гетероструктуре AlGaN/GaN
Скубо В. В., Сим П. Е., Великовский Л. Э., Поливанова Ю. Н., Цацульников А. Ф.
|
76–78
|
|
Влияние ионной имплантации на поверхностное сопротивление полимерных диэлектриков
Пухова И. В.
|
79–82
|
|
Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности
Данилина Т. И., Попов А. А.
|
83–85
|
|
Волноводные и дифракционные элементы устройств и приборов фотоники, оптически индуцированные в подложках ниобата лития с фоторефрактивным поверхностным слоем
Безпалый А. Д., Верхотуров А. О., Шандаров В. М.
|
86–90
|
|
Измерение фотоупругих коэффициентов кристалла RKTP методом статических деформаций
Чуманов М. В., Паргачёв И. А., Серебренников Л. Я., Краковский В. А., Шандаров С. М.
|
91–94
|
