Исследование свойств несплавных омических контактов к гетероструктуре AlGaN/GaN

Авторы: Скубо В. В., Сим П. Е., Великовский Л. Э., Поливанова Ю. Н., Цацульников А. Ф.

Аннотация: Получение омических контактов с низким сопротивлением на транзисторной гетероструктуре AlGaN/GaN позволяет улучшить характеристики изготавливаемых на ее основе СВЧ-транзисторов. В работе представлены результаты эксперимента по формированию низкоомного омического контакта к гетероструктуре n+ Al 0,05 Ga 0,95 N/i-Al 0,23 Ga 0,77 N/GaN с выращенным селективной эпитаксией слоем n+. Получены значения контактного сопротивления для различных температур отжига контакта и без проведения процесса отжига.

Ключевые слова: несплавные омические контакты, контактное сопротивление, селективная эпитаксия gan, гетероструктура algan/gan

Библиография статьи: Скубо В. В. Исследование свойств несплавных омических контактов к гетероструктуре AlGaN/GaN / В. В. Скубо [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2015. – № 4(38). – С. 76–78.