Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана , применяемых при формировании мемристорных структур

Аннотация: Исследованы электрофизические свойства пленок диоксида титана, полученных магнетронным распылением мишени из титана стехиометричного (TiO 2 ) и нестехиометричеого (TiO x ) составов, используемых для создания мемристорных элементов энергонезависимой памяти. Показано, что нестехиометриченые пленки TiO x имеют более высокую проводимость. В структурах с двухслойным диэлектриком TiO 2 -TiO x электрическая прочность определяется прочностью пленок TiO 2 . Значения диэлектрической проницаемости пленок TiO 2 и TiO x существенно различаются.

Ключевые слова: пленки окисла титана, электрофизические параметры