Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана , применяемых при формировании мемристорных структур

Авторы: Троян П. Е., Нагайчук С. Г., Аргунов Д. П., Змановский П. А., Пилипец И. В.

Аннотация: Исследованы электрофизические свойства пленок диоксида титана, полученных магнетронным распылением мишени из титана стехиометричного (TiO 2 ) и нестехиометричеого (TiO x ) составов, используемых для создания мемристорных элементов энергонезависимой памяти. Показано, что нестехиометриченые пленки TiO x имеют более высокую проводимость. В структурах с двухслойным диэлектриком TiO 2 -TiO x электрическая прочность определяется прочностью пленок TiO 2 . Значения диэлектрической проницаемости пленок TiO 2 и TiO x существенно различаются.

Ключевые слова: пленки окисла титана, электрофизические параметры

Библиография статьи: Троян П. Е. Изучение электрофизических параметров пленок окислов титана , применяемых при формировании мемристорных структур / П. Е. Троян [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2015. – № 4(38). – С. 64–67.