Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности

Аннотация: Представлены результаты моделирования микрорельефа различной конфигурации на слое n-GaN в светодиодной гетероструктуре на основе GaN/InGaN. Определена оптимальная геометрия микроостриев, позволяющая увеличить коэффициент оптического вывода в 2 раза по сравнению с плоской световыводящей поверхностью.

Ключевые слова: микрорельеф, микроострия, полусферы, коэффициент оптического вывода

Библиография статьи:
Данилина Т. И. Моделирование коэффициента оптического вывода светодиода на основе GaN при наличии микрорельефа на световыводящей поверхности / Т. И. Данилина, А. А. Попов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2015. – № 4(38). – С. 83–85.