Создание электронного запоминающего устройства , подобного по свойствам синапсу мозга

Авторы: Бобылев А. Н., Удовиченко С. Ю.

Аннотация: Статья посвящена исследованию в области твердотельной нейроморфной электроники. Затронуты требования к стабильности и воспроизводимости характеристик твердотельных аналогов синапсов – мемристоров и способы получения устройств, соответствующих этим требованиям. Описываются результаты эксперимента по получению тонкопленочного электронного устройства на основе смешанного оксида металлов Al:TiO 2 . Представлены вольтамперные характеристики твердотельного элемента и отмечена существенная нелинейность этих характеристик. Описаны зависящие от времени эффекты в процессах переключения мемристора. Указаны свойства живых синапсов, воспроизведенные в твердотельном элементе, и возможность использования полученного мемристора, как суммирующего элемента искусственного нейрона.

Ключевые слова: реактивное магнетронное распыление, мемристор, синапс

Библиография статьи: Бобылев А. Н. Создание электронного запоминающего устройства , подобного по свойствам синапсу мозга / А. Н. Бобылев, С. Ю. Удовиченко // Доклады ТУСУР. – 2015. – № 4(38). – С. 68–71.