Торхов Николай Анатольевич
Список статей:
- Мощные AlGaN/GaN HEMT X- и K u -диапазонов
- Разработка GaAs-pHEMT-монолитного малошумящего усилителя диапазона 3–20 ГГц с использованием программ «визуального» проектирования
- Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMT наногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторов с использованием пакета Synopsys
- Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров
_%D0%BE%D0%B1%D0%BB_(%D0%90-3)-1.jpg)
