Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров

Аннотация: В диапазоне частот до 40 ГГц представлены результаты измерений S-параметров и экстракции эквивалентных схем пассивных сосредоточенных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем в копланарном исполнении – тонкопленочного резистора, МДМ-конденсатора и квадратной спиральной катушки индуктивности. Компоненты изготовлены по отечественной монолитной 0,3 мкм GaN HEMT-технологии на подложке из сапфира. Предложена и исследована также методика построения статистических моделей пассивных СВЧ-компонентов, учитывающих технологический разброс параметров.

Ключевые слова: свч монолитная интегральная схема, модели компонентов, эквивалентная схема, статистический анализ