Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров

Авторы: Сальников А. С., Добуш И. М., Бабак Л. И., Торхов Н. А.

Аннотация: В диапазоне частот до 40 ГГц представлены результаты измерений S-параметров и экстракции эквивалентных схем пассивных сосредоточенных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем в копланарном исполнении – тонкопленочного резистора, МДМ-конденсатора и квадратной спиральной катушки индуктивности. Компоненты изготовлены по отечественной монолитной 0,3 мкм GaN HEMT-технологии на подложке из сапфира. Предложена и исследована также методика построения статистических моделей пассивных СВЧ-компонентов, учитывающих технологический разброс параметров.

Ключевые слова: свч монолитная интегральная схема, модели компонентов, эквивалентная схема, статистический анализ

Библиография статьи: Сальников А. С. Экспериментальное исследование и построение моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с учетом технологического разброса параметров / А. С. Сальников [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 2. – С. 113–118.