Мощные AlGaN/GaN HEMT X- и K u -диапазонов

Авторы: Торхов Н. А., Божков В. Г., Добуш И. М., Сальников А. С., Бабак Л. И.

Аннотация: Представлен мощный AlGaN/GaN транзистор с высокой подвижностью электронов X- и Kuдиапазонов. Подобранная конструкция слоев гетероэпитаксиальной структуры разработанного транзистора позволила получить параметры статических и СВЧ-характеристик, близких к зарубежному аналогу CGHV1J006D производства компании Cree Inc. В отличие от аналога соединение истоков отдельных секций транзистора осуществлялось не металлизированными отверстиями, а более короткими двойными воздушными мостами. Ток стока в импульсном режиме составил IDmax = 1,1 А, пробивное напряжение 60 В, малосигнальный коэффициент усиления на частоте 10 ГГц составил GSS ≈ 14 дБ. Оценка максимального значения выходной мощности в импульсном режиме составила Psat ≈ 6,8 Вт. В отличие от аналога CGHV1J006D характеристики разработанного транзистора были дополнены его малосигнальной моделью.

Ключевые слова: algan/gan, hemt, импульсные статические и свч-характеристики, ли- нейная модель

Библиография статьи: Торхов Н. А. Мощные AlGaN/GaN HEMT X- и K u -диапазонов / Н. А. Торхов [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2015. – № 1(35). – С. 52–55.