Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMT наногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторов с использованием пакета Synopsys

Авторы: Торхов Н. А., Бабак Л. И., Божков В. Г., Разжувалов А. Н., Сальников А. С.

Аннотация: Описаны и исследованы возможности программной системы Sentaurus TCAD Synopsys при физическом моделировании HEMT-наногетероструктур и СВЧ-транзисторов. Представлены результаты моделирования различных конструкций AlGaN/GaN HEMT-наногетероструктур с двумерным электронным газом, а также мощных СВЧ-транзисторов на основе этих гетероструктур. Показаны пути улучшения характеристик AlGaN/GaN HEMT-гетероструктур и приборов. Результаты моделирования подтверждены экспериментальным измерением параметров изготовленных тестовых GaN HEMT-транзисторов с длиной затвора 1 мкм.

Ключевые слова: gan/algan, hemt-наногетероструктура, конструкция, свч-характеристики, вольт-амперные характеристики, методы физического моделирования, sentaurus tcad synopsys

Библиография статьи: Торхов Н. А. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMT наногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторов с использованием пакета Synopsys / Н. А. Торхов [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 2. – С. 145–151.