Фотоэлектрические характеристики фотоприемников на основе оксида галлия в широком интервале температур и напряжений

Аннотация: Пленки оксида галлия были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировых подложках. После отжига при температуре 900 °С в потоке аргона в течение 30 мин пленки Ga2O3 образуют поликристаллическую -фазу с высокой стехиометрией. Полученные пленки имели толщину 390 нм и демонстрировали коэффициент пропускания, превышающий 70% на длинах волн ≥ 310 нм. Ширина запрещенной зоны пленки увеличивается с 4,74 до 4,87 эВ при понижении температуры с 350 до 10 К. Фотопроводимость структур при температурах ниже 150 К определяется током, ограниченным пространственным зарядом. Фотоприемники продемонстрировали низ-кие темновые токи (< 20 пА) и максимум фоточувствительности 1,42 А/Вт при 150 К и 1100 В, что указывает на внутренний механизм усиления. При увеличении температуры с 10 до 350 К время нарастания фотопроводимо-сти уменьшается с 65 до 32 мс, а время спада – с 34 до 7 мс.

Ключевые слова: коэффициент усиления, фотопроводимость, уф-излучение, фотоприемник, ga2o3