Обзор GaN-технологий при изготовлении монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона

Авторы: Михайленко В. Е., Заболоцкий А. М.

Аннотация: Современная СВЧ-техника выдвигает серьезные требования к электронной компонентной базе. В изготовлении монолитных интегральных схем (МИС) используют большое количество разновидностей проводников, которые, в свою очередь, обладают своими граничными параметрами и размерами. В связи с этими ограничениями возни-кает задача выбора технологии (материала), которая обеспечит выполнение технических задач при разработке МИС СВЧ. На данный момент ведущими в отрасли СВЧ-техники при изготовлении МИС СВЧ являются техно-логии, которые используют полупроводники из арсенида галия (GaAs) и нитрида галия (GaN). В работе проведен обзор и сравнительный анализ изготовления МИС СВЧ отечественными и зарубежными производителями на примере дискретных транзисторов, выполненных по GaN-технологии. Представлены таблицы с характеристиками технологических процессов в области разработки дискретных транзисторов на базе разных компаний. Данный ма-териал может быть использован при проектировании МИС СВЧ и помочь в обеспечении выполнения ТЗ.

Ключевые слова: мощность свч, транзистор, топология, технология, малошумящий усилитель, монолитная интегральная схема

Библиография статьи: Михайленко В. Е. Обзор GaN-технологий при изготовлении монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона / В. Е. Михайленко, А. М. Заболоцкий // Доклады ТУСУР. – 2024. – Т. 27, № 4. – С. 23–30. DOI: 10.21293/1818-0442-2024-27-4-23-30