Разработка масштабируемой малосигнальной модели 0,1 мкм GaAs-pHEMT-транзистора для усилительных применений
Скачать текст статьи в формате PDF
Авторы: Добуш И. М., Дудинов К. В., Зыков Д. Д., Сальников А. С., Попов А. А., Емельянов А. М., Брагин Д. С., Хайров Д. Р.
Аннотация: Описана разработка масштабируемой малосигнальной модели pHEMT-транзистора на основе GaAs с проектной нормой 0,1 мкм для применения в САПР электронных устройств. При её построении в качестве базового был выбран транзистор с общей шириной затвора 635 мкм, для которого достигнута хорошая точность в различных режимах работы по постоянному току и в широком диапазоне частот. Разработанная модель может использоваться для ускорения и удешевления разработки усилительных СВЧ-монолитных интегральных схем, в которых базовым активным элементом является pHEMT-транзистор. В дальнейших исследованиях полученная модель станет основной для создания более сложных типов моделей, таких как шумовые и нелинейные.
Ключевые слова: свч-транзистор, модель свч-транзистора, свч-интегральная схема, экстракция параметров модели, эквивалентная схема, малосигнальная модель, линейные параметры, phemt, gaas
Библиография статьи: Добуш И. М. Разработка масштабируемой малосигнальной модели 0,1 мкм GaAs-pHEMT-транзистора для усилительных применений / И. М. Добуш [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2022. – Т. 25, № 4. – С. 37–47. DOI: 10.21293/1818-0442-2022-25-4-37-47
