Исследование роли термопластических явлений в механизме деградации полупроводниковых гетероструктур на основе GaN

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Еханин С. Г., Томашевич А. А.

Аннотация: Проведена оценка роли термопластической явлений в расширении дефектных областей при формировании новых дефектов в гетероструктуре светодиода. Согласно расчету напряжений, возникающих при локальном перегреве, недостаточно для формирования новых дефектов, однако эти напряжения могут приводить к движению уже существующих дислокаций и их скоплению, что может приводить к формированию кластеров дислокаций, дополнительному перегреву и выходу светодиода из строя.

Ключевые слова: дислокации, нитрид галлия, гетероструктура, механическая прочность

Библиография статьи: Еханин С. Г. Исследование роли термопластических явлений в механизме деградации полупроводниковых гетероструктур на основе GaN / С. Г. Еханин, А. А. Томашевич // Доклады ТУСУР. – 2017. – Т. 20, № 4. – С. 23–25. DOI: 10.21293/1818-0442-2017-20-4-23-25

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru

 

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru