Исследование роли термопластических явлений в механизме деградации полупроводниковых гетероструктур на основе GaN

Аннотация: Проведена оценка роли термопластической явлений в расширении дефектных областей при формировании новых дефектов в гетероструктуре светодиода. Согласно расчету напряжений, возникающих при локальном перегреве, недостаточно для формирования новых дефектов, однако эти напряжения могут приводить к движению уже существующих дислокаций и их скоплению, что может приводить к формированию кластеров дислокаций, дополнительному перегреву и выходу светодиода из строя.

Ключевые слова: дислокации, нитрид галлия, гетероструктура, механическая прочность

Библиография статьи:
Еханин С. Г. Исследование роли термопластических явлений в механизме деградации полупроводниковых гетероструктур на основе GaN / С. Г. Еханин, А. А. Томашевич // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2017. – Т. 20, № 4. – С. 23–25. DOI: 10.21293/1818-0442-2017-20-4-23-25