Технология формирования покрытий на светодиодных гетероструктурах методом магнетронного распыления на примере нанесения пленок ITO

Аннотация: Приводится изучение эффективности отвода заряженных частиц от подложки и растущей плёнки ITO, наносимой методом реактивного магнетронного распыления, используя различные отклоняющие системы. Установлено, что применение магнитной отводящей системы позволило уменьшить энергию электронов, достигающих подложки в пять раз, а концентрацию заряженных частиц – в 13 раз. При этом показано, что плёнки ITO, напыляемые при таких условиях, растут без дефектов.

Ключевые слова: ito, магнетронное распыление, электронная бомбардировка подложки

Библиография статьи:
Жидик Ю. С. Технология формирования покрытий на светодиодных гетероструктурах методом магнетронного распыления на примере нанесения пленок ITO / Ю. С. Жидик, П. Е. Троян // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2014. – № 4(34). – С. 52–55.