Исследование нелинейной зависимости сопротивления стока в GaAs и GaN HEMT-транзисторах

Аннотация: Описан аналитический способ экстракции значений элементов эквивалентной схемы СВЧ-полевого транзистора с учетом нелинейной зависимости сопротивления стока. Получены зависимости сопротивления стока от приложенных напряжений сток-исток и затвор-исток для отечественных 0,15 мкм GaN HEMT- и 0,15 мкм GaAs pHEMT-транзисторов. Учет нелинейного характера сопротивления стока позволил уточнить значения внутренних элементов транзистора и повысить точность моделирования S-параметров.

Ключевые слова: малосигнальная модель, нелинейная модель, gan hemt, gaas phemt

Библиография статьи: Коколов А. А. Исследование нелинейной зависимости сопротивления стока в GaAs и GaN HEMT-транзисторах / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 4(34). – С. 46–51.