SPDT-переключатели отражающего и поглощающего типа диапазона частот от 10 МГц до 67 ГГц на технологии 0,1 мкм GaAs-pHEMT

Авторы и правообладатели:

• Хмара И. В. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Данилов Д. С. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Загородний А. С. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Шарангович С. Н. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)

• 1. Subhash Ch.B. Microwave Active Devices and Circuits for Communication // Lecture Notes in Electrical Engineering. – India, 2019. – 691 p.
• 2. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. – М.: Радио и связь, 1987. – 120 с.
• 3. Veendrick H. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. – Cham: Springer, 2025. – 664 p.
• 4. Ди Лоренцо Д.В. (ред.). Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола; пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
• 5. Техническая документация TC950 [Электронный ресурс]. – URL: https://www.keysight.com/us/en/assets/7018-07156/data-sheets-archived/5991-4766.pdf, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 6. Техническая документация MASW-011151 [Электронный ресурс]. – URL: https://cdn.macom.com/datasheets/MASW-011151.pdf, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 7. New Wideband, Low Insertion Loss, High Linearity SiGe RF Switch / C.D. Cheon, M.K. Cho, S.G. Rao, A.S. Cardoso, J.D. Connor, J.D. Cressler // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. – 2020. – Vol. 30, No. 10. – P. 918–921. DOI: 10.1109/LMWC.2020.3020317.
• 8. Chang H.Y. A Low-Loss High-Isolation DC-60 GHz SPDT Traveling-Wave Switch With a Body Bias Technique in 90 nm CMOS Process / H.Y. Chang, C.Y. Chan // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. – 2010. – Vol. 20, No. 2. – P. 82–84.
• 9. Дроботун Н.Б. Сверхширокополосные GaAs-СВЧпереключатели с повышенной развязкой на основе полевых транзисторов с затвором Шоттки с длиной 0,5 мкм / Н.Б. Дроботун, А.В. Дроздов // Электронные средства и системы управления: материалы докл. XIII Междунар. науч.-практ. конф., посвященной 55-летию ТУСУРа: в 2 ч. – Томск: ТУСУР, 2017. – Ч. 2. – С. 231–235.
• 10. Техническая документация HMC547alc3 [Электронный ресурс]. – URL: https://www.analog.com/en/products/hmc547alc3.html, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 11. Техническая документация MP203 [Электронный ресурс]. – URL: https://www.micran.ru/upload/iblock/dd3/jf3p4c121xdpw11fm0mug6bte16sml7o/MP203_V01%200003.pdf, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 12. Техническая документация SVB0102 [Электронный ресурс]. – URL: http://www.svetlana-rost.ru/content/site1/pages/switch/SVB0102_SPDT%2026GHz%20%5b%D0%9F%D0%A0%D0%9E%D0%95%D0%9A%D0%A2%5d.pdf, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 13. Техническая документация MASW-011152 [Электронный ресурс]. – URL: https://cdn.macom.com/datasheets/MASW-011152.pdf, свободный (дата обращения: 12.07.2025).
• 14. Березняк А.Ф. Твердотельные СВЧ-переключатели: схемотехника, технологии изготовления, тенденции развития. Обзор. – Ч. 1 / А.Ф. Березняк, А.С. Коротков // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 4. – С. 3–28.
• 15. Кочемасов В. Твердотельные СВЧ-переключатели. – Ч. 1 / В. Кочемасов, А. Кирпиченков // Электроника НТБ. – 2017. – № 5 (00171). – С. 92–97. DOI: 10.22184/1992-4178.2017.171.10.92.97.
• 16. Св-во о гос- регистрации ТИМС №2025630182. Переключатель MP236 / И.В. Хмара, Д.С. Данилов, А.С. Загородний, В.Н. Гребенюк. – Заявка № 2025630180. Дата поступления 14 июля 2025 г. Зарегистрировано в Реестре ТИМС 24 июля 2025 г.
• 17. Св-во о гос. регистрации ТИМС №2025630135. Переключатель MP237 / И.В. Хмара, Д.С. Данилов, А.С. Загородний, В.Н. Гребенюк. – Заявка № 2025630128. Дата поступления 23 мая 2025 г. Зарегистрировано в Реестре ТИМС 02 июня 2025 г.