SPDT-переключатели отражающего и поглощающего типа диапазона частот от 10 МГц до 67 ГГц на технологии 0,1 мкм GaAs-pHEMT

Авторы: Хмара И. В., Данилов Д. С., Загородний А. С., Шарангович С. Н.

Аннотация: Представлены этапы разработки монолитных интегральных схем отражающего и поглощающего типа SPDT-переключателей, работающих в широкой полосе частот от 10 МГц до 67 ГГц, изготовленных на технологии 0,1 мкм GaAs-pHEMT. Описаны схемы переключателей, процесс моделирования и экспериментальное исследова-ние микросхем. Представлено сравнение полученных параметров с текущим уровнем техники на различных тех-нологиях. Предложен способ увеличения развязки переключателей с показателем более 32 дБ и с обеспечением значения вносимых потерь в открытом канале менее 3,4 дБ в диапазоне частот: 0,01–67 ГГц.

Ключевые слова: свч, полевой транзистор шоттки, развязка, арсенид галлия, монолитная интегральная схема, spdt, phemt, сверхширокополосный, коммутатор, переключатель

Библиография статьи: Хмара И. В. SPDT-переключатели отражающего и поглощающего типа диапазона частот от 10 МГц до 67 ГГц на технологии 0,1 мкм GaAs-pHEMT / И. В. Хмара [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2025. – Т. 28, № 3. – С. 7–13. DOI: 10.21293/1818-0442-2025-28-3-7-13