Построение параметрической модели монолитного тонкопленочного резистора на основе СВЧ-измерений и электромагнитного моделирования

Аннотация: Представлена методика построения параметрических моделей пассивных элементов СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС), позволяющая снизить количество измеряемых тестовых структур. Принципиальной особенностью методики является использование при построении модели как непосредственно измеренных параметров рассеяния реальных тестовых элементов, так и рассчитанных в результате электромагнитного (ЭМ) анализа параметров «виртуальных» элементов. При этом электрофизические параметры материалов, необходимые для ЭМ моделирования, находятся на основе экстракции простых эквивалентных схем измеренных элементов и анализа физических уравнений. Методика рассмотрена на примере построения параметрической модели тонкопленочного резистора для GaAs МИС.

Ключевые слова: gaas мис, тонкопленочный резистор, параметрическая модель, эм-моделирование