Оптимизация омических контактов к AlGaN/GaN-транзисторам с высокой подвижностью электронов

Авторы: Великовский Л. Э., Сим П. Е.

Аннотация: Рассматриваются проблемы оптимизации состава омических контактов к транзисторам с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры Al x Ga 1–-x N/GaN, сформированной на подложках из кремния, сапфира и карбида кремния. В результате проведения исследований были найдены зависимости контактного сопротивления от соотношения толщин слоев металлизации на основе Ti/Al/Mo/Au. Оптимизированный состав контактной металлизации обеспечивает низкое контактное сопротивление (0,3–0,5 Ом*мм) при гладкой морфологии поверхности омических контактов.

Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов (hemt), быстрый термический отжиг, омические контакты, метод длинных линий, нитрид галлия

Библиография статьи: Великовский Л. Э. Оптимизация омических контактов к AlGaN/GaN-транзисторам с высокой подвижностью электронов / Л. Э. Великовский, П. Е. Сим // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 3(33). – С. 66–69.