Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля

Авторы: Давыдов В. Н., Гребенников А. С., Егорова И. А.

Аннотация: Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли–Рида–Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда.

Ключевые слова: селенид кадмия, энергетическая диаграмма, минимум шума, состояния из хвостов зон, генерационно-рекомбинационные состояния, дисперсии электронов и дырок

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля / В. Н. Давыдов, А. С. Гребенников, И. А. Егорова // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 3. – С. 36–45.