GaAs МИС дискретного фазовращателя L-диапазона частот

Авторы: Баров А. А., Кондратенко А. В., Хохол Д. С.

Аннотация: Представлены результаты разработки монолитной интегральной схемы 6-разрядного фазовращателя, выполненного на основе 0,25 мкм GaAs pHEMT-технологии ЗАО «НПФ «Микран». Полоса рабочих частот 1,2–1,4 ГГц, диапазон вносимого фазового сдвига 355°, номинальный шаг вносимого фазового сдвига 5,6°, вносимые потери в опорном состоянии не более 7,5 дБ, паразитная амплитудная конверсия менее ±0,5 дБ, возвратные потери по входу/выходу не менее 15 дБ, тип сигналов управления – уровни ТТЛ.

Ключевые слова: монолитная интегральная схема, дискретный фазовращатель, полевой транзистор с барьером шоттки, драйвер управления, вносимый фазовый сдвиг

Библиография статьи: Баров А. А. GaAs МИС дискретного фазовращателя L-диапазона частот / А. А. Баров, А. В. Кондратенко, Д. С. Хохол // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 2. – С. 32–35.