Формирование микрорельефа методами электронно-лучевой литографии и контактной фотолитографии

Аннотация: Работа посвящена исследованию возможности формирования микрорельефных поверхностей в оптическом покрытии SiO₂, нанесенном на полупроводниковую подложку. Для формирования микрорельефа регулярной структуры использовались два метода создания рисунка в слое SiO₂ – электронно-лучевая литография и фотолитография. С помощью электронно-лучевой литографии получен микрорельеф в слое SiO₂ в виде углублений диаметром 460 нм и расстоянием между ними 130 нм с плотностью 2,8·108 шт./см². С помощью контактной фотолитографии получен микрорельеф в виде наноострий с расстоянием между ними 415 нм и диаметром основания 630–660 нм, что соответствует плотности наноострий 3,3·107 шт./см².

Ключевые слова: оптические покрытия, квантовая эффективность, микрорельеф, электрон- но-лучевая литография, контактная фотолитография