Создание микрорельефных поверхностей в просветляющих оптических покрытиях для повышения внешней квантовой эффективности синих светодиодов на основе GaN

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Данилина Т. И., Троян П. Е., Чистоедова И. А.

Аннотация: Работа посвящена исследованию возможности формирования микрорельефных поверхностей в просветляющих оптических покрытиях, нанесенных на GaN. В работе предложено использовать в качестве просветляющих покрытий на GaN пленки SiO2, в которых формировалась микрорельефная поверхность с регулярной структурой с помощью электронно-лучевой литографии. С помощью электронно-лучевой литографии получен микрорельеф в виде наноострий с расстоянием между ними 500 нм с диаметром основания 284 нм, что соот-ветствует плотности наноострий 1,4·10^7 шт./см2.

Ключевые слова: просветляющие покрытия, микрорельеф, электронно-лучевая литография, наноострия

Библиография статьи: Данилина Т. И. Создание микрорельефных поверхностей в просветляющих оптических покрытиях для повышения внешней квантовой эффективности синих светодиодов на основе GaN / Т. И. Данилина, П. Е. Троян, И. А. Чистоедова // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 64–67.

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru

 

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru