GaAs МИС управляемого СВЧ-аттенюатора диапазона 0–20 ГГц

Авторы: Баров А. А., Кондратенко А. В., Хохол Д. С.

Аннотация: Представлены результаты разработки монолитной интегральной схемы электрически управляемого СВЧ-аттенюатора, выполненного по GaAs-pHEMT-технологии. Полоса рабочих частот 0–20 ГГц, начальные вносимые потери 2,2 дБ на частоте 20 ГГц, диапазон вносимых ослаблений 27 дБ, возвратные потери по входу/выходу не менее 15 дБ. Сигнал управления – аналоговое напряжение от минус 3 до 0 В.

Ключевые слова: монолитная интегральная схема, управляемый аттенюатор, полевой транзистор с затвором шотки, частотная характеристика

Библиография статьи: Баров А. А. GaAs МИС управляемого СВЧ-аттенюатора диапазона 0–20 ГГц / А. А. Баров, А. В. Кондратенко, Д. С. Хохол // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 2(22). – Ч. 2. – С. 187–189.